真空蒸镀 Evaporation
粒子生成机构:热能
膜生成速率:可提高(<75μm/min)
粒子:原子、离子
复杂形状蒸镀均匀性:若无气体搅拌就不佳
小盲孔蒸镀均匀性:不佳
蒸镀金属:可
蒸镀合金:可
蒸镀热化合物:可
粒子能量:很低0.1-0.5 eV
惰性气体离子冲击:通常不可以
表面与层间的混合:通常无
加热(外加热):可,通常有
蒸镀速率10-9m/sec:1.67-1250
濺射蒸镀 Sputtering
粒子生成机构:动能
膜生成速率:纯金属以外很低(Cu:1μm/min)
粒子:原子、离子
复杂形状蒸镀均匀性:良好,膜厚分布均匀
小盲孔蒸镀均匀性:不佳
蒸镀金属:可
蒸镀合金:可
蒸镀热化合物:可
粒子能量:可提高1-100 eV
惰性气体离子冲击:可,或依形状不可
表面与层间的混合:可
加热(外加热):可,通常无
蒸镀速率10-9m/sec:0.17-16.7
离子蒸镀 Ion Plating
粒子生成机构:热能
膜生成速率:可提高(<25μm/min)
粒子:原子、离子
复杂形状蒸镀均匀性:良好,但膜厚分布不均
小盲孔蒸镀均匀性:不佳
蒸镀金属:可
蒸镀合金:可
蒸镀热化合物:可
粒子能量:很低1-100 eV
惰性气体离子冲击:可
表面与层间的混合:可
加热(外加热):可,或无
蒸镀速率10-9m/sec:0.5-833